Resumo
dealgumasetapasrealizadasemumaimagemadquirida,mostrando osdoisresultadosparadiferentesintervalosdecircularidade. . . . . . . . . 58 Figura3.13–Comparaçãodaimagembinarizadacometchpitsseparadoseresultadodas elipsescorrespondentesacadaum. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59 Figura4.1 – Macrografiasobtidasdeamostrassempolimentomecânico. Ataque: Sopori 60s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 Figura4.2 – Fotomicrografias de uma amostra sem polimento mecânico em aumentos de50,200e1000vezes,esteultimocomindicaçõesdeirregularidadesnas superfícieseetchpits. Ataque: Sopori60s. . . . . . . . . . . . . . . . . . 61 Figura4.3 – Comparação entre os ataques Sopori e Secco em uma mesma região: a) AtaqueSoporipor60seb)AtaqueSeccopor3min. . . . . . . . . . . . . 62 Figura4.4 – Micrografias de amostras de silício policristalino nas condições 0H - Sem tratamento,1H-1horadetratamento,2H-2horasdetratamentoe3H-3 horasdetratamento. Ampliaçãode100vezes. Ataque: Seccopor3min. . . 63 Figura4.5 – Micrografia de uma amostra 0H em que é possível identificar dois grãos, cadaumcom morfologia deetchpits distinta. Ampliação de1000x. Ataque: Seccopor3min. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64 Figura4.6 – Micrografiadeumaamostra1H,destacandoetchpitsempilhadospróximosa umcontornodegrão. Ampliação: 1000x. Ataque: Seccopor3min. . . . . 65 Figura4.7 – Micrografiadeumaamostra2H,destacandoetchpitsalojadosemcontornos degrãoemumaregiãocombaixadensidadededefeitos. Ampliação: 1000x. Ataque: Seccopor3min. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66 Figura4.8 – Micrografia de uma amostra 2H, destacando os sub-contornos formados pela aglomeração de etch pits. Ampliação: 1000x. Ataque: Secco por 3 min.Ataque: Seccopor3min. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67 Figura4.9 – Histograma e frequência acumulada dos etch pits com circularidade entre 0,20e1,00dasamostrassemtratamentotérmico. . . . . . . . . . . . . . . 68 Figura4.10–Histograma e frequência acumulada dos etch pits com circularidade entre 0,20e1,00dasamostrascomtratamentotérmicode1200°Cpor1hora. . . 69 Figura4.11–Histograma e frequência acumulada dos etch pits com circularidade entre 0,20e1,00dasamostrascomtratamentotérmicode1200°Cpor2horas. . 70 Figura4.12–Histograma e frequência acumulada dos etch pits com circularidade entre 0,20e1,00dasamostrascomtratamentotérmicode1200°Cpor3horas. . 71 Figura4.13–Histograma e frequência acumulada dos etch